英伟达要求存储三厂以台积电3nm裸片产NVHBM

有消息称英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光采用台积电3nm制程基底裸片为其生产NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受该技术要求。三星电子10月19日回应称不对涉及客户的事项发表评论。

有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM定制HBM，核心裸片则采用第六代DRAM技术。消息称三星电子已决定接受这一技术要求，三星电子10月19日回应称不对涉及客户的事项发表评论。业内人士称定制基底裸片已成趋势。