传英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产NVHBM

有消息称英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光采用台积电3nm制程基底裸片为其生产NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受该技术要求。三星电子10月19日回应称不对涉及客户的事项发表评论。