机器学习优化外延生长，微环激光器达100%激射良率

研究团队提出一套机器学习工作流，用于优化 III-V 多量子阱微环激光器的外延生长与几何参数，并称由此实现全部设计 100% 的激射良率。 该工作流先用多目标贝叶斯优化生长和几何参数，再用变分自编码器把残余的器件间差异归因到具体来源。相关结果来自 arXiv 物理预印本，作者为 Mihir R. Athavale 等。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。